BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | NRND | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| Paket | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +150C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |