BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC027N10NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC042NE7NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | NRND | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| Hộp | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +150C |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |