BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC035N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC0993NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC035N04LSGATMA1 BSC0993NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TISON-8
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin