BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC035N04LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC0993NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC035N04LSGATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TISON-8 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |