BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC035N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0993NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC035N04LSGATMA1 BSC0993NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TISON-8
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Mode — Enhancement
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں