BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N03MSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |