BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC0993NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |