BSC050N03LSGATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC050N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC120N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC050N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55C to +150C (TJ)
Channel Type N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin