BSC066N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC066N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N06NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC066N06NSATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +150°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | N-Channel Trench MOSFET |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes (per Infineon product page) |