BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC077N12NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC077N12NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin