BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC042NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC077N12NS3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 75 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | +/-20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | 125 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |