BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 比較

詳細並排比較 BSC077N12NS3GATMA1 由 Infineon 與 BSC042NE7NS3GATMA1 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon

BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon

BSC077N12NS3GATMA1 ✓ 啟用中
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BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 啟用中

規格比較

參數 BSC077N12NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
電晶體類型 N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W 125 W
工作接面溫度 -55C to +150C —
封裝 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
腳位數 8 —
MSL 等級 1 1
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
工作溫度範圍 — -55C to +150C

資料表與資源

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