BSC0911NDATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0911NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC066N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0911NDATMA1 | BSC066N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | 256 A |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Paket | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 60 V trench-gate |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 26 nC (typ) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | 45 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.6 mΩ (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 46 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.3 °C/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |