BSC097N06NSATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC097N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC070N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC097N06NSATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Paket — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin