BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC098N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC070N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC098N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin