BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC098N10NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC070N10NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC098N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
מארז PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר