BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC100N10NSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC123N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC100N10NSFGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant Compliant with exemption
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin