BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC100N10NSFGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC123N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC100N10NSFGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant with exemption
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں