BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC100N10NSFGATMA1 מאת Infineon ו BSC123N08NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC100N10NSFGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant with exemption
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר