BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC117N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N10S5N040ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC117N08NS5ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS-5
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55C to +175C (junction)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (up to 260C peak reflow)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin