BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו IAUC100N10S5N040ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC117N08NS5ATMA1 | IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS-5 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +175C (junction) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 100 A (package-limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 167 W @ TC=25C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.9 K/W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for Automatic Optical Inspection |