BSL215CH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL215CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL316CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL215CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair —
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
Paket / Kas PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS low-voltage MOSFET
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Paket — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Pin Sayısı — 6
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin