BSL215CH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL215CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSL316CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL215CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair —
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
پیکیج / کیس PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS low-voltage MOSFET
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
پیکیج — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
پن کی تعداد — 6
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں