BSL316CH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL316CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL215CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL316CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET —
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) Half-bridge (1 N + 1 P)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Paket PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Pin Sayısı 6 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
Paket / Kas — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin