BSL316CH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL316CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSL215CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL316CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET —
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) Half-bridge (1 N + 1 P)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
پیکیج PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
پن کی تعداد 6 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
پیکیج / کیس — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں