BSP129H6906XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP129H6906XTSA1 tarafından Infineon ve BSS127H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP129H6906XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 functional + 1 tab (4 leads) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ max] —
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free)
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Pin Sayısı — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin