BSP129H6906XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP129H6906XTSA1 بواسطة Infineon و BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP129H6906XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP129H6906XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 Ohm (max) | — |
| Operating Mode | Normally-On (Depletion) | — |
| Gate-Source Pinch-Off Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 functional + 1 tab (4 leads) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ max] | — |
| ESD Protection | Integrated Zener diodes on gate | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |