BSP316PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSD214SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP316PH6327XTSA1 | BSD214SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Pin Sayısı | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) at 25C | — | 1.5 A |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 500 mW |
| Gate Drive Voltage (Rds On rated) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Rds On (Max) @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] |
| Rds On (Max) @ Vgs=2.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] |
| Vgs(th) (typical) | — | [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |