BSP88H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP88H6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Pin Sayısı | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |