BSS169H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS169H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS169H6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS OptiMOS (enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin