BSS169H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS169H6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS OptiMOS (enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں