BSS214NH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS314PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS214NH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) MOSFET (Metal Oxide)
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin