BSS87H6327FTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSS192PH6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin