BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +150C
Paket PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Gate Drive — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin