BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ0994NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0994NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0501NSIATMA1 BSZ0994NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
Paket PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max] -55C to +150C (junction)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5 30V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 13 A
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.1 W
Technology — Trench (OptiMOS 5)
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin