BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N06LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |