BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ065N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55°C to +150°C
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں