BSZ0994NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0994NSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0994NSATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 30V OptiMOS 25V
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 13 A —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.1 W —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Paket PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin