BSZ0994NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0994NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ0994NSATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 30V | OptiMOS 25V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 13 A | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.1 W | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| On-Resistance (RDS(on), typ @10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |