BSZ0994NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0994NSATMA1 מאת Infineon ו BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ0994NSATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 30V | OptiMOS 25V |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 13 A | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.1 W | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| מארז | PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| On-Resistance (RDS(on), typ @10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| מספר פינים | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |