BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ150N10LS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 63 W | — |
| Paket | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 (Unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |