BSZ900N20NS3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ900N20NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IRL40S212ARMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ900N20NS3GATMA1 IRL40S212ARMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number BSZ900N20NS3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 15.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 90 mΩ —
Typical RDS(on) @ VGS=10V 77 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 62.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Paket PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
ESD Protection Yes (integrated) —
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — StrongIRFET™
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj max]
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin