BSZ900N20NS3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ900N20NS3GATMA1 bằng Infineon và IRL40S212ARMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ900N20NS3GATMA1 IRL40S212ARMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Part Number BSZ900N20NS3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 15.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 90 mΩ —
Typical RDS(on) @ VGS=10V 77 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 62.5 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Hộp PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
ESD Protection Yes (integrated) —
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — StrongIRFET™
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Tj max]
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá