BSZ900N20NS3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ900N20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IRL40S212ARMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ900N20NS3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Part Number | BSZ900N20NS3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 15.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 90 mΩ | — |
| Typical RDS(on) @ VGS=10V | 77 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 62.5 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 195 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 231 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Lead-Free | — | Yes |