H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-VKC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organizasyon 512M x 8 —
Arayüz DDR4 (Double Data Rate IV) —
Paket 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
Veri Hızı [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps (DDR4-2666)
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS Durumu Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Bellek Boyutu — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Packaging — Tray
Yaşam Döngüsü Durumu — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin