H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-UHC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-PBC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-PBC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Veri Hızı 2400 Mbps (PC2400) —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Arayüz DDR4 (JEDEC) —
Paket TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS Durumu Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
Arayüz Türü — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin