H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps (PC2400) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| رابط | DDR4 (JEDEC) | — |
| بستهبندی | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | — |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| نوع رابط | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |