H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-VKIR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKIR
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Veri Hızı 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Paket FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile Volatile —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Density — 4 Gb
Organizasyon — 512M x 8
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin