H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN4G8NBJR-VKIR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKIR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps per pin |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (case) |
| Extended Temperature Range | — | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) |
| Product Family | — | H5AN4G4/6/8NBJR series |
| Speed Grade Code | — | -VKI |
| Packing Suffix | — | R (Tape & Reel) |
| VPP Supply | — | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |