H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKIR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-VKC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKIR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKIR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps per pin |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 512M x 8 |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (case) |
| Extended Temperature Range | — | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) |
| Product Family | — | H5AN4G4/6/8NBJR series |
| Speed Grade Code | — | -VKI |
| Packing Suffix | — | R (Tape & Reel) |
| VPP Supply | — | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |